特許

J-GLOBAL ID：200903048101818843

炭化ケイ素発光ダイオード素子

発明者： 松下 保彦 ,  八木 克己
出願人/特許権者： 三洋電機株式会社
代理人 (1件)： 西野 卓嗣
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-296700
公開番号（公開出願番号）：特開平7-153992
出願日： 1993年11月26日
公開日（公表日）： 1995年06月16日
要約：

【要約】【目的】 n型SiC基板側からの光取り出しを十分に行え、且つ電気的短絡の防止が可能で製造が容易な炭化ケイ素発光ダイオード素子を提供することを目的とする。【構成】 n型SiC単結晶基板1と、この基板1上に形成された発光層としてのn型SiC単結晶層2と、この層2上に形成されこの層2へホールを注入するためのp型SiC単結晶層4と、この層4上に形成された低不純物濃度のp型SiC単結晶層5と、この層5上に形成されたコンタクト層としてのp型SiC単結晶層6と、を備え、低不純物濃度のp型SiC単結晶層5はホールを注入するためのp型SiC単結晶層4及びコンタクト層としてのp型SiC単結晶層6に比べて層厚が大きく、且つホールを注入するためのp型SiC単結晶層4及びコンタクト層としてのp型p型SiC単結晶層6は低不純物濃度のp型SiC単結晶層5に比べてキャリア濃度が大きい構成とした。

請求項（抜粋）：

n型炭化ケイ素基板と、該n型炭化ケイ素基板上に形成された発光層としてのn型炭化ケイ素層と、該n型炭化ケイ素層上に形成された該n型炭化ケイ素層へホールを注入するためのp型炭化ケイ素層と、該p型炭化ケイ素層上に形成された低不純物濃度のp型炭化ケイ素層と、該低不純物濃度のp型炭化ケイ素層上に形成されたコンタクト層としてのp型炭化ケイ素層と、を備え、前記低不純物濃度のp型炭化ケイ素層は前記ホールを注入するためのp型炭化ケイ素層及び前記コンタクト層としてのp型炭化ケイ素層に比べて層厚が大きく、且つ該ホールを注入するためのp型炭化ケイ素層及び該コンタクト層としてのp型炭化ケイ素層は前記低不純物濃度のp型炭化ケイ素層に比べてキャリア濃度が大きいことを特徴とする炭化ケイ素発光ダイオード素子。