特許
J-GLOBAL ID：200903048102758453
配線形成法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
伊沢 敏昭
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-087898
公開番号（公開出願番号）：特開平5-259294
出願日： 1992年03月11日
公開日（公表日）： 1993年10月08日
要約：
【要約】【目的】 集積回路等の配線形成法において、ステップカバレッジの良好な接続孔を形成する。【構成】 半導体基板又は配線層からなる被接続体10の表面を覆って絶縁膜12を形成した後、絶縁膜12の上に孔30aを有するレジスト層30を形成する。そして、レジスト層30をマスクとする異方性ドライエッチングにより孔30aに対応した凹部を絶縁膜12に形成してからレジスト層30をマスクとする等方性ドライエッチングを行なうことにより上記凹部を外方に向けて開口サイズが徐々に増大する鍋状の凹部32bに変形させ、この後レジスト層30をマスクとする異方性エッチングにより内孔32cを形成し、凹部32b及び内孔32cからなる接続孔32を得る。レジスト層30を除去した後、接続孔32の内部から外部に至る配線層を形成する。
請求項（抜粋）：
(a)被接続体の表面を覆って絶縁膜を形成する工程と、(b)前記絶縁膜の一部を露呈する孔を有するレジスト層を前記絶縁膜の上に形成する工程と、(c)前記レジスト層をマスクとする異方性エッチングにより前記レジスト層の孔に対応した凹部を前記絶縁膜に形成する工程と、(d)前記異方性エッチングの後前記レジスト層をマスクとする等方性エッチングを行なうことにより前記凹部を外方に向けて開口サイズが徐々に増大する鍋状の凹部に変形させる工程と、(e)前記等方性エッチングの後前記レジスト層をマスクとする異方性エッチングを行なうことにより前記鍋状の凹部に連続し且つ前記被接続体の一部に達する内孔を形成する工程と、(f)前記レジスト層を除去した後、前記鍋状の凹部及び前記内孔からなる接続孔を介して前記被接続体から前記絶縁膜の上に至る配線層を形成する工程とを含む配線形成法。
IPC (3件)：
H01L 21/90
, H01L 21/302
, H01L 21/3205
