特許

J-GLOBAL ID：200903048110733184

非晶質光電変換素子

発明者： 芦田 芳徳 ,  田中 博文 ,  宮下 武博 ,  柳川 紀行 ,  石黒 信行 ,  齊藤 公彦
出願人/特許権者： 三井東圧化学株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-323747
公開番号（公開出願番号）：特開平7-183550
出願日： 1993年12月22日
公開日（公表日）： 1995年07月21日
要約：

【要約】【構成】 非晶質シリコンを用いたタンデム型非晶質太陽電池を形成するに、光活性層である真性半導体層を水素が結合したシリコンを用い、異種元素を用いずに作製し、適用した太陽電池構造。【効果】 本発明により、従来技術では不可能であったタンデム型非晶質太陽電池の高効率・高信頼性が向上させることが可能となった。

請求項（抜粋）：

基板、第一の電極、第一のp型半導体薄膜、第一の実質的に真性な半導体薄膜、第一のn型半導体薄膜、第二のp型半導体薄膜、第二の実質的に真性な半導体薄膜、第二のn型半導体薄膜、第二の電極の構成からなる積層して形成された非晶質太陽電池において、該第一の実質的に真性な半導体薄膜および第二の実質的に真性な半導体薄膜が、水素化非晶質シリコンからなることを特徴とする非晶質光電変換素子。