特許
J-GLOBAL ID：200903048110858815
半導体表面の観測方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
小田 富士雄 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-323267
公開番号（公開出願番号）：特開平7-153805
出願日： 1993年11月29日
公開日（公表日）： 1995年06月16日
要約：
【要約】【目的】 半導体表面の屈折率変化を選択的に観測する。【構成】 半導体基板上に薄膜を形成しながら、当該薄膜の表面層に対し吸収を有しない波長であってp偏光(電界成分が入射面に含まれるように偏光している)の光を入射光とし、この入射光を半導体表面の法線に対して当該半導体の屈折率から決るブリュウスター角またはその近傍の角度傾けて入射し、当該薄膜の表面から得られる反射光を観測する。波長と入射角を設定すれば吸収変化も選択的に測定できる。
請求項（抜粋）：
半導体基板上に薄膜を製膜する過程で、当該薄膜の表面層に対し吸収を有しない波長であってp偏光の光を入射光とし、この入射光を半導体表面の法線に対して当該半導体の屈折率から決るブリュウスター角またはその近傍の角度傾けて入射し、当該薄膜の表面から得られる反射光を観測することを特徴とする半導体表面の観測方法。
IPC (2件)：
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