レジストによるパターニング方法及び半導体装置の製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：高月亨
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-131833
公開番号（公開出願番号）：特開平5-304090
出願日： 1992年04月24日
公開日（公表日）： 1993年11月16日
要約：

【要約】【目的】凹状をなすとともに表面に細かい凹凸を有する下地上にレジストパターンを形成してパターニングを行う場合、あるいは該工程を有する半導体装置の製造において、バターンくずれのない良好なパターニングを達成し、あるいは良好なパターニングにより性能の良い半導体装置を得る方法の提供。【構成】凹状をなすとともに表面に細かい凹凸を有する下地21,22,51,52上にレジストパターンを形成してパターニングを行い、あるいは該パターニングにより半導体装置を製造する場合に、該レジストパターンがダイ入りレジスト4により形成されたことを特徴とする方法。

請求項（抜粋）：

凹状をなすとともに表面に細かい凹凸を有する下地上にレジストパターンを形成してパターニングを行うレジストによるパターニング方法であって、該レジストパターンがダイ入りレジストにより形成されたことを特徴とするレジストによるパターニング方法。

IPC (3件)：

H01L 21/027 , G03F 7/004 506 , G03F 7/26

FI (2件)：

H01L 21/30 361 X , H01L 21/30 361 T

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