特許
J-GLOBAL ID：200903048111134950
メッキバンプ形成方法及びそれに用いるウエーハメッキ用治具
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
小鍜治 明 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-331681
公開番号（公開出願番号）：特開平5-166815
出願日： 1991年12月16日
公開日（公表日）： 1993年07月02日
要約：
【要約】【目的】 半導体ウエーハ内に均一に電流を与えることによって、バンプ電極高さのばらつきを著しく減少することができる、メッキバンプ形成方法及び、それに用いるウエーハメッキ用治具を提供する。【構成】 スクライブライン5aにおいて導体層であるバリアメタル層9と接する半導体ウエーハ5の裏面全面に、治具の電極層11が密着するように治具で固定する。またスクライブライン5aは半導体ウエーハ5の表面全面において均一に分布している。したがって電源14と接続している電極層11より、半導体ウエーハ5の内部を通じ、バリアメタル層9に均一に電流を与えることができ、開口部9aにバンプ電極高さのばらつきを減少することができる。
請求項（抜粋）：
半導体ウエーハ表面に、前記半導体ウエーハ表面の全領域にわたり実質的に均一な分布をもって前記半導体ウエーハと接する導体層を設け、前記半導体ウエーハの裏面全面より前記半導体ウエーハを通じ前記導体層に電流を与え、前記導体層上の絶縁膜の開口部にバンプ電極を形成するメッキバンプ電極形成方法。
IPC (2件)：
H01L 21/321
, H01L 21/288
