特許
J-GLOBAL ID：200903048114065453
ワークの研削方法
発明者：
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出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-030164
公開番号（公開出願番号）：特開平8-197397
出願日： 1995年01月27日
公開日（公表日）： 1996年08月06日
要約：
【要約】【目的】 半導体ウエハ、及び、半導体チップ等のワークの高品質化、極薄化、拡径化に充分に対処できるもので、特に、粗研削されたワークの歪、反り、ダメージの解消させる研削方法を提供する。【構成】 ワークの研削面を粗研削する粗研削工程と、粗研削工程の後に研削面を仕上研削する仕上研削工程とを含むワークの研削方法であって、粗研削工程と仕上研削工程と間にワークの研削面の歪を解消する化学的蝕刻法による歪解消工程を経るものである。
請求項（抜粋）：
ワークの研削面を粗研削する粗研削工程と、該粗研削工程の後に該研削面を仕上研削する仕上研削工程とを含むワークの研削方法であって、前記粗研削工程と仕上研削工程と間にワークの研削面の歪を解消する化学的蝕刻法による歪解消工程を経ることを特徴とするワークの研削方法。
IPC (3件)：
B24B 7/22
, B24B 1/00
, H01L 21/304 321
