特許
J-GLOBAL ID：200903048119446447
半導体レーザ素子
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
鈴木 喜三郎 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-271414
公開番号（公開出願番号）：特開平6-125143
出願日： 1992年10月09日
公開日（公表日）： 1994年05月06日
要約：
【要約】【構成】 活性層幅の中心線にワイヤのボンディング位置を一致させる。また複数のワイヤの場合は、中心線に対称にボンディングする。【効果】 広い活性層幅の半導体レーザでも、平行横モードを安定できる。
請求項（抜粋）：
電流注入される活性層が基板に平行で共振器方向に垂直な方向に100μm以上の幅を有する半導体レーザと、該半導体レーザが実装されるパッケージと、該半導体レーザと該パッケージを電気的に接続するボンディングワイヤから成る半導体レーザ素子に於て、該半導体レーザに接続する該ボンディングワイヤが1本以上で、該活性層の幅の中心線に対し該ボンディングワイヤが対称となるように接続されていることを特徴とする半導体レーザ素子。
IPC (2件)：
H01S 3/18
, H01L 21/60 301
