特許
J-GLOBAL ID：200903048126328557
含浸型陰極の製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
松隈 秀盛
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-099014
公開番号（公開出願番号）：特開2000-294124
出願日： 1999年04月06日
公開日（公表日）： 2000年10月20日
要約：
【要約】【課題】 含浸型陰極の製造において複数配列した多孔質金属基体の全てに対して電子放射物質の含浸を良好に行えるようにする。【解決手段】 多孔質金属基体に、粉砕した電子放射物質を含浸させる含浸型陰極の製造方法であって、粉砕した電子放射物質を分級して粒径を揃えたものを用いる。
請求項（抜粋）：
多孔質金属基体に、粉砕した電子放射物質を用いて、該電子放射物質を含浸させる含浸型陰極の製造方法であって、粉砕した前記電子放射物質の粒径を揃える工程を有することを特徴とする含浸型陰極の製造方法。
Fターム (2件)：
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