特許

J-GLOBAL ID：200903048126670999

レベル変換回路装置

発明者： 森川 成洋 ,  須藤 克彦
出願人/特許権者： 三洋電機株式会社
代理人 (1件)： 岡田 敬
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-095056
公開番号（公開出願番号）：特開平8-293779
出願日： 1995年04月20日
公開日（公表日）： 1996年11月05日
要約：

【要約】【目的】 低電位系から高電位系へのレベル変換において素子数の低減化と高耐圧化を図る。【構成】 第1の電源電位VPP1にソースが接続された第1のMOSトランジスタQ1と、第1の電源電圧VPP1より低い第2の電源電位VPP2にソースが接続された第2のMOSトランジスタQ2とを具備し、第2のMOSトランジスタQ2のドレインを第1のMOSトランジスタQ1のゲート直接接続したレベル変換回路装置であって、第1のMOSトランジスタQ1は、図2に示すように、チャネル領域(5)の中央にソース拡散領域(6)及びドレイン拡散領域(7)と離間された高濃度の不純物領域(8)を有し、第1及び第2の電源電位間の電位差(VPP1-VPP2)に比して高いしきい値電圧Vtp1を有するものである。

請求項（抜粋）：

第1の電源電位にソースが接続された第1のMOSトランジスタと、第1の電源電圧より低い第2の電源電位にソースが接続された第2のMOSトランジスタとを具備し、第2のMOSトランジスタのドレインが第1のMOSトランジスタのゲートに直接接続されたレベル変換回路装置であって、第1のMOSトランジスタは、第1及び第2の電源電位間の電位差に比して高いしきい値電圧を有することを特徴とするレベル変換回路装置。

IPC (3件)：

H03K 19/0175 ,  H01L 27/08 331 ,  H03K 19/08

FI (3件)：

H03K 19/00 101 A ,  H01L 27/08 331 B ,  H03K 19/08 Z