特許

J-GLOBAL ID：200903048127361752

GaAs電界効果トランジスタの製造方法

発明者： 中塚 忠良 ,  田村 彰良 ,  八木田 秀樹
出願人/特許権者： 松下電器産業株式会社
代理人 (1件)： 森本 義弘
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-294722
公開番号（公開出願番号）：特開平5-136172
出願日： 1991年11月12日
公開日（公表日）： 1993年06月01日
要約：

【要約】【目的】高耐圧、高性能のGaAsMESFETを実現する。【構成】ゲート電極13の側壁近傍にp型不純物を含む絶縁膜16を設けた状態で熱処理を行い、p型不純物がGaAs基板10中に拡散してn型不純物を補償する結果、ゲート電極13の側壁近傍の基板表面に、p型不純物により補償された低濃度層17を形成することにより、FETのゲート耐圧を改善する。

請求項（抜粋）：

ゲート電極形成後、GaAs基板中でp型層を形成する物資を含む酸化シリコン膜などの絶縁膜を堆積し、熱処理により前記p型層を形成する物質をGaAs基板中のn型層に拡散させ、互いに補償させ合うことにより低濃度層を形成するGaAs電界効果トランジスタの製造方法。

IPC (3件)：

H01L 21/338 ,  H01L 29/812 ,  H01L 21/324

FI (2件)：

H01L 29/80 B ,  H01L 29/80 M