特許

J-GLOBAL ID：200903048129160797

基板処理装置及び半導体装置の製造方法

発明者： 野内 英博 ,  宮田 敏光
出願人/特許権者： 株式会社日立国際電気
代理人 (1件)： 三好 祥二
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-377157
公開番号（公開出願番号）：特開2005-142355
出願日： 2003年11月06日
公開日（公表日）： 2005年06月02日
要約：

【課題】 基板に薄膜を形成する反応室内に、反応ガス及びその他供給ガスを基板面内に均一に供給しつつ、反応室内に於けるガスの高速置換を可能とする。 【解決手段】 基板50を処理する反応室10と、該反応室の上部に形成され基板を収納する第1領域24と、該第1領域の下方に形成された第2領域25と、前記第1領域と前記第2領域間に形成される連通部と、前記第1領域の上方から原料ガスを供給する原料ガス供給部7と、前記連通部上方に設けられ、該連通部に向ってパージガスを供給するパージガス供給部8と、前記第2領域に連通する排気口15とを具備する。 【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

基板を処理する反応室と、該反応室の上部に形成され基板を収納する第1領域と、該第1領域の下方に形成された第2領域と、前記第1領域と前記第2領域間に形成される連通部と、前記第1領域の上方から原料ガスを供給する原料ガス供給部と、前記連通部上方に設けられ、該連通部に向ってパージガスを供給するパージガス供給部と、前記第2領域に連通する排気口とを具備することを特徴とする基板処理装置。

IPC (1件)：

H01L21/31

FI (1件)：

H01L21/31 C

Fターム (15件)：

5F045AA08 ,  5F045AB31 ,  5F045AC08 ,  5F045AC11 ,  5F045AC16 ,  5F045BB02 ,  5F045BB08 ,  5F045DP03 ,  5F045DQ11 ,  5F045EE13 ,  5F045EE17 ,  5F045EF20 ,  5F045EG01 ,  5F045EG06 ,  5F045EH18