レーザースパッター装置

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：池澤寛
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-116642
公開番号（公開出願番号）：特開平6-306603
出願日： 1993年04月21日
公開日（公表日）： 1994年11月01日
要約：

【要約】【目的】レーザースパッター法において、レーザービーム照射によりターゲット3の近傍に発生するプラズマ(プルームP)中にできるだけ酸素を取り込むようにして酸素との反応性を高め、超電導膜の特性とくに超電導転移温度、膜表面の平滑性などを向上させることができるレーザースパッター装置1を提供すること。【構成】プルームPに外部磁場を作用させることに着目したもので、真空チャンバー2内に設けたターゲット3および被スパッター部材(基板6)と、ターゲット3にレーザービームLを照射するレーザー発生手段(レーザー発生器9)と、を有し、レーザービームLを照射するターゲット3の近傍に磁場を発生させる磁場発生手段(磁石8)を設けたことを特徴とする。

請求項（抜粋）：

真空チャンバーと、この真空チャンバー内に設けたターゲットおよび被スパッター部材と、前記ターゲットにレーザービームを照射するレーザー発生手段と、を有するレーザースパッター装置であって、前記レーザービームを照射する前記ターゲットの近傍に磁場を発生させる磁場発生手段を設けたことを特徴とするレーザースパッター装置。

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