特許

J-GLOBAL ID：200903048145105313

ヒューズ付きチップ抵抗器

発明者： 中居 俊博
出願人/特許権者： 株式会社住友金属エレクトロデバイス
代理人 (1件)： 加古 宗男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-085332
公開番号（公開出願番号）：特開2000-276988
出願日： 1999年03月29日
公開日（公表日）： 2000年10月06日
要約：

【要約】【課題】 ヒューズをリフロー半田付けが可能なチップ部品化する。【解決手段】 2層のセラミック基板11を、アルミナよりも熱伝導率が低いガラスセラミックにより形成する。このセラミック基板11の両側部に端子電極12,13を形成すると共に、セラミック基板11の内部にビア導体15〜18と内層配線パターン19,20を形成する。更に、セラミック基板11の上面に導体ランド21〜23を形成すると共に、2つの導体ランド21,22に跨がって厚膜抵抗体24を形成し、この厚膜抵抗体24の抵抗値を、定格電流に応じてレーザトリミングにより調整する。温度ヒューズ26を厚膜抵抗体24の上面に近接させた位置で、該温度ヒューズ26を高温半田27,28によって導体ランド22,23に接続する。これにより、温度ヒューズ26を厚膜抵抗体24と組み合わせて、チップ部品化する。

請求項（抜粋）：

両側部に端子電極が形成されたセラミック基板と、前記セラミック基板の上面に形成された厚膜抵抗体と、前記セラミック基板上に前記厚膜抵抗体に近接して搭載され、前記厚膜抵抗体に直列に接続された温度ヒューズとを備えたヒューズ付きチップ抵抗器。

Fターム (7件)：

5G502AA02 ,  5G502BA08 ,  5G502BB13 ,  5G502BD02 ,  5G502BD20 ,  5G502CC45 ,  5G502EE01