特許

J-GLOBAL ID：200903048146249025

エッチング方法

発明者： 山中 通成 ,  山下 武志 ,  勝山 亜希子
出願人/特許権者： 松下電器産業株式会社
代理人 (1件)： 池内 寛幸 (外5名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-161220
公開番号（公開出願番号）：特開2002-351092
出願日： 2001年05月29日
公開日（公表日）： 2002年12月04日
要約：

【要約】【課題】 エッチング時におけるレジスト中の炭素-炭素間の一重結合を軸とした自由回転の抑制を図りうるエッチング方法を提供することにある。【解決手段】 基板1上に被エッチング膜2を形成し、被エッチング膜2上にレジストを形成し、レジストに対し露光及び現像を行ってレジストパターン3を形成し、ハロゲンを含むエッチングガスによりプラズマを発生させてレジストパターン3をマスクとして被エッチング膜2をエッチングするエッチング方法を用いる。その際、レジストパターン3を形成する後であって被エッチング膜2をエッチングする前に、レジストパターン3に対し、被エッチング膜2をエッチングするためのエッチングガスに含まれるハロゲンよりも原子半径が大きいハロゲンのイオンを導入する。

請求項（抜粋）：

基板上に被エッチング膜を形成する工程と、前記被エッチング膜上にレジストを形成する工程と、前記レジストに対し露光及び現像を行ってレジストパターンを形成する工程と、ハロゲンを含むエッチングガスによりプラズマを発生させて前記レジストパターンをマスクとして前記被エッチング膜をエッチングする工程とを備えたエッチング方法において、前記レジストパターンを形成する工程の後であって前記被エッチング膜をエッチングする工程の前に、前記レジストパターンに対し、前記ハロゲンよりも原子半径が大きいハロゲンのイオンを導入する工程を更に備えていることを特徴とするエッチング方法。

IPC (3件)：

G03F 7/40 521 ,  H01L 21/027 ,  H01L 21/3065

FI (3件)：

G03F 7/40 521 ,  H01L 21/302 H ,  H01L 21/30 570

Fターム (18件)：

2H096AA25 ,  2H096BA11 ,  2H096HA23 ,  2H096HA30 ,  5F004AA16 ,  5F004BA04 ,  5F004BA14 ,  5F004BA20 ,  5F004BB13 ,  5F004DA00 ,  5F004DA01 ,  5F004DA16 ,  5F004DB03 ,  5F004EA01 ,  5F004EB01 ,  5F004FA02 ,  5F004FA08 ,  5F046AA28