特許
J-GLOBAL ID：200903048147650432
水素貯蔵用炭素材料およびその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
雨宮 正季
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-237648
公開番号（公開出願番号）：特開2003-047843
出願日： 2001年08月06日
公開日（公表日）： 2003年02月18日
要約：
【要約】【課題】人間社会から自然界に排出される比較的低温な273K-373Kの排熱下で、水素吸蔵/放出特性を向上させた水素貯蔵用炭素材料およびその製造方法を提供する。【解決手段】a軸方向の秩序Laが50nm以下、かつc軸方向の秩序Lcが10nm以下の結晶子のマイクログラファイト構造2を有し、粉末またはリン片状の炭素材料をボウルミルで機械的粉砕を行い製造する水素貯蔵用材料およびその製造方法である。【効果】機械的粉砕を行うことで、マイクログラファイト化させエッジ面の露出度の増大、欠陥混在に伴う比表面積の増大によって、273K-373Kの温度領域で高水素吸蔵能を示すことが可能となった。
請求項（抜粋）：
a軸方向の秩序Laが50nm以下、かつc軸方向の秩序Lcが10nm以下の結晶子のマイクログラファイト構造を有することを特徴とする水素貯蔵用炭素材料。
IPC (3件)：
B01J 20/20
, C01B 31/04 101
, C01B 3/00
B01J 20/20 B
, C01B 31/04 101 B
, C01B 3/00 B
4G040AA36
, 4G040AA42
, 4G046EB13
, 4G046EC02
, 4G066AA04B
, 4G066BA25
, 4G066BA26
, 4G066BA38
, 4G066CA38
, 4G066FA33
, 4G066FA40
