特許
J-GLOBAL ID：200903048151287431
バンプ電極形成方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
梅田 勝
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-326710
公開番号（公開出願番号）：特開平7-183305
出願日： 1993年12月24日
公開日（公表日）： 1995年07月21日
要約：
【要約】【目的】 半導体装置の電極上にバンプ電極を形成する際、メタルマスクを用いた蒸着工程やフォトソグラフィを用いたメッキ工程等の複雑なプロセスを行わず、簡単にパンプを形成する。【構成】 半導体装置1にTi膜4,CuNi膜5,Au薄膜6を堆積する工程と、金属細線の先端を熔融して金属ボールを形成し半導体装置のAl電極2上に接続後、切断してバンプ電極7を形成する工程と、半導体装置表面の不要なTi膜4,CuNi膜5,Au薄膜6をバンプ電極7をマスクとして除去する工程とによる。【効果】 工程数が少なく、コストダウンがはかれる。
請求項（抜粋）：
半導体装置の主表面に金属膜を堆積する工程と、該半導体装置の電極部にワイヤボンド法、または転写法によってバンプ電極を形成する工程と、該バンプ電極をマスクにして上記半導体装置の主表面の不要な上記金属膜を除去する工程とを含むことを特徴とするバンプ電極形成方法。
IPC (2件)：
H01L 21/321
, H01L 21/60 311
