特許
J-GLOBAL ID:200903048159742863

半導体素子検査装置および検査方法

発明者:
出願人/特許権者:
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平10-084972
公開番号(公開出願番号):特開平11-258268
出願日: 1998年03月16日
公開日(公表日): 1999年09月24日
要約:
【要約】【課題】 BGA等の電極がバンプ形状を有する半導体素子を、異方導電性シートを用いて電気的性能を検査する際に、被検査半導体素子の電極と異方導電性シートの導電部との高精度な位置合せ、ならびに被検査半導体素子の電極の変形の低減が可能な半導体素子検査装置を提供すること。【解決手段】 検査対象半導体素子と電気的検査装置の間に、異方導電性シートを介在させて当該素子の電気的検査を行う電気的検査装置であって、前記異方導電性シートと検査対象半導体素子との間に柔軟性を有する基板を介在させ、該基板には検査対象半導体素子の各被検査電極に対応した位置に電極径より小さな径の開口部を設け、かつ開口部の内部が導電材料で被覆されており、前記異方導電性シートはシートの厚さ方向に電気的に導通性を有することを特徴とする半導体素子検査装置。
請求項(抜粋):
検査対象半導体素子と電気的検査装置の間に、異方導電性シートを介在させて当該素子の電気的検査を行う電気的検査装置であって、前記異方導電性シートと検査対象半導体素子との間に柔軟性を有する基板を介在させ、該基板には検査対象半導体素子の各被検査電極に対応した位置に電極径より小さな径の開口部を設け、かつ開口部の内部および必要に応じて開口部周辺が導電材料で被覆されており、前記異方導電性シートはシートの厚さ方向に電気的に導通性を有することを特徴とする半導体素子検査装置。
IPC (4件):
G01R 1/06 ,  G01R 31/26 ,  H01L 21/66 ,  H01R 33/76
FI (4件):
G01R 1/06 A ,  G01R 31/26 J ,  H01L 21/66 D ,  H01R 33/76

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