特許
J-GLOBAL ID：200903048160355440

半導体装置及びその製造方法

発明者：
望月 英司

望月 英司 について

, 
西村 芳孝

西村 芳孝 について


出願人/特許権者：
富士電機デバイステクノロジー株式会社

富士電機デバイステクノロジー株式会社 について


代理人 (1件)： 服部 毅巖
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-130610
公開番号（公開出願番号）：特開2004-356625
出願日： 2004年04月27日
公開日（公表日）： 2004年12月16日
要約：
【課題】 半導体装置の放熱性能を向上させるとともに、接合部の熱応力による変形を防止し、製造工程における組立精度を確保してその信頼性を向上させる半導体装置を提供する。【解決手段】 半導体装置1は、回路基板10の表裏面に半導体チップ2,放熱用ベース3をそれぞれはんだ接合して構成されている。この半導体装置1の放熱用ベース3は、熱伝導に異方性を有し、絶縁基板11との接合面に沿った方向よりも接合方向である厚み方向に熱伝導率が大きくなるように形成されている。また、熱伝導に異方性のない(又は小さい)回路基板10の導体パターン13の厚みをある程度確保して、絶縁基板11を経由して伝達される熱を放熱用ベース3との接合面の方向に予め拡散して伝導面積を広げることとした。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
絶縁基板の両面にそれぞれ導体パターンを形成してなる回路基板と、 前記回路基板の一方の面に、前記導体パターンを介して接合された半導体チップと、 前記回路基板の他方の面に、前記導体パターンを介してロー付接合され、前記半導体チップにて発生した熱を、前記導体パターンとは反対側に配置された外部放熱手段に熱伝導させる放熱用ベースと、 を備えた半導体装置であって、 前記放熱用ベースは、 熱伝導性に異方性をもつ材料から構成され、前記回路基板との接合面に沿った方向よりも接合方向である厚み方向に熱伝導率が大きくなるように前記材料を配向して形成され、 前記回路基板との接合面に沿った方向の熱膨張率と、前記絶縁基板の前記接合面に沿った方向の熱膨張率との差が、前記放熱用ベースと前記回路基板との間に発生する熱応力により前記ロー付接合のロー材の破損するのを防止する予め定める所定値以下となるように、その材質が選択されたことを特徴とする半導体装置。
IPC (1件)：
H01L23/36
FI (1件)：
H01L23/36 C
Fターム (5件)：
5F036AA01 ,  5F036BB08 ,  5F036BC06 ,  5F036BD11 ,  5F036BD14
引用特許：
出願人引用 (3件) 審査官引用 (7件)
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