特許

J-GLOBAL ID：200903048161212022

電気デバイスの製造方法

発明者： ジョセフ アンソニー アビス ,  イゴア ヴェリコ カジャ ,  ジョセフ ジョン メサノ ジュニア ,  ショーヘイ ナカハラ
出願人/特許権者： アメリカン テレフォン アンド テレグラフ カムパニー
代理人 (1件)： 三俣 弘文
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-171482
公開番号（公開出願番号）：特開平5-190250
出願日： 1992年06月08日
公開日（公表日）： 1993年07月30日
要約：

【要約】【目的】 亀裂欠陥を有しない電着導電領域を含む電気的デバイスの製造方法を提供する。【構成】 合金の導電ストライプが電気メッキされた金属ストリップからデバイスの接点部分を製造する場合、型打ちおよび二次成形作業の際に、ストライプに亀裂部分が発生する。一般的に、銅ブロンズ材料のような金属ストリップ上のストライプ被膜はニッケル層、パラジウムとニッケル、コバルト、砒素または銀との合金層および硬質金のフラッシュメッキ層などである。型打ちおよび二次成形作業の前に、メッキストリップをアニーリング処理することにより亀裂欠陥の発生を防止することができる。加熱処理後、ストライプには亀裂は全く存在せず、また、ストライプとストリップとの連続層間の剥がれも全く無かった。

請求項（抜粋）：

パラジウム合金からなる層を金属ベースの少なくとも一部分に電気メッキし、そして、メッキされたベース金属を所望の形状に成形し、前記パラジウム合金は、銀、砒素、ニッケルおよびコバルトからなる群から選択された少なくとも一種類の金属と共に合金化されたパラジウムからなり;前記成形工程の前に、少なくともメッキ部分をアニール処理し、該アニール処理は、メッキ析出層をアニールすることにより成形工程に基づく析出層の亀裂の発生を排除するのに十分であるが、金属ベースの弾性を損なうことのない時間にわたって行われ、その後、サンプルを室温にまで放冷させる;ことからなる、導電性領域を含む少なくとも1個の接点を有する電気デバイスの製造方法。

IPC (3件)：

H01R 43/16 ,  C25D 3/56 ,  C25D 5/50

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 特開昭61-288384
  
• 特開昭56-015569
  
• 特開昭63-053872
  
• 特開昭57-072284