特許

J-GLOBAL ID：200903048161766630

窒化物半導体基板の製造方法

発明者： 成田 准也 ,  竹川 一紀 ,  前川 仁志
出願人/特許権者： 日亜化学工業株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-215076
公開番号（公開出願番号）：特開2004-056051
出願日： 2002年07月24日
公開日（公表日）： 2004年02月19日
要約：

【課題】結晶性がよく、貫通転位を低減させた窒化物半導体基板の製造方法を提供することを目的とする。【解決手段】ラテラル成長を利用した窒化物半導体基板の製造方法であって、段差形成した基板の溝部に剥離膜を成膜する第1の工程と、前記剥離膜が溝部に成膜された基板上に第1の窒化物半導体を成長し、その後、前記剥離膜上の第1の窒化物半導体をリフトオフにより除去し、その後、前記基板の凸部面上に残された第1の窒化物半導体を成長核として第2の窒化物半導体をラテラル成長させる第2の工程とを備える。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

ラテラル成長を利用した窒化物半導体基板の製造方法であって、 段差形成した基板の溝部に剥離膜を成膜する第1の工程と、前記剥離膜が溝部に成膜された基板上に第1の窒化物半導体を成長し、その後、前記剥離膜上の第1の窒化物半導体をリフトオフにより除去し、その後、前記基板の凸部上面に残された第1の窒化物半導体を成長核として第2の窒化物半導体をラテラル成長させる第2の工程とを備えたことを特徴とする窒化物半導体基板の製造方法。

IPC (5件)：

H01L21/205 ,  C30B23/04 ,  C30B25/04 ,  C30B29/38 ,  H01S5/343

FI (5件)：

H01L21/205 ,  C30B23/04 ,  C30B25/04 ,  C30B29/38 D ,  H01S5/343 610

Fターム (28件)：

4G077AA03 ,  4G077BE11 ,  4G077BE15 ,  4G077DA12 ,  4G077DB16 ,  4G077EA02 ,  4G077ED04 ,  4G077EE07 ,  4G077SB01 ,  4G077TA04 ,  4G077TA06 ,  4G077TB07 ,  4G077TC06 ,  4G077TC16 ,  4G077TC17 ,  4G077TK04 ,  5F045AA04 ,  5F045AB14 ,  5F045AC03 ,  5F045AC08 ,  5F045AC12 ,  5F045BB12 ,  5F045HA22 ,  5F073AA11 ,  5F073AA45 ,  5F073CA07 ,  5F073DA07 ,  5F073EA28