特許
J-GLOBAL ID:200903048163236581

デュアル・ビーム半導体レーザーの製造方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 小堀 益
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平6-092428
公開番号(公開出願番号):特開平6-334264
出願日: 1994年04月28日
公開日(公表日): 1994年12月02日
要約:
【要約】【目的】 デュアル・レーザー・ビームを相互に正確に設置する一方レーザー・ダイオードの熱的分離も確実にする。【構成】 レーザー・ダイスの一方がその表面上に整合部材92を有しレーザー・ダイスの他方がその表面上に相補整合部材96を有する状態で一対のレーザー・ダイスを形成し、レーザー・ダイスの対向表面を相互に隔置させ且つデュアル・ビーム半導体レーザーを整合させるべく各レーザー・ダイス上の整合部材が相互に組み合う状態で一対のレーザー・ダイスを組み立てる。
請求項(抜粋):
デュアル・ビーム半導体レーザーの製造方法であって:レーザー・ダイスの一方がその表面上に整合部材を有しレーザー・ダイスの他方がその表面上に相補整合部材を有する状態で一対のレーザー・ダイスを形成する段階;及びレーザー・ダイスの対向表面を相互に隔置させ且つデュアル・ビーム半導体レーザーを整合させるべく、各レーザー・ダイス上の整合部材が相互に組み合う状態で一対のレーザー・ダイスを組み立てる段階を含むデュアル・ビーム半導体レーザーの製造方法。
引用特許:
出願人引用 (3件)
  • 特開平2-054982
  • 特開昭60-194591
  • 特開昭54-107689

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