特許

J-GLOBAL ID：200903048164296707

MOSトランジスタ及びその製造方法

発明者： キム ピル-サン
出願人/特許権者： ヒュンダイ エレクトロニクス インダストリーズ カンパニー リミテッド
代理人 (1件)： 笹島 富二雄 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-317994
公開番号（公開出願番号）：特開2001-217417
出願日： 2000年10月18日
公開日（公表日）： 2001年08月10日
要約：

【要約】【課題】MOSトランジスタにおいて、素子の信頼性及び特性を向上できるようにする。【解決手段】第1ゲート電極104とキャッピング層112の両側面よりも狭い幅になるように、該第1ゲート電極104の上面中央部に拡散防止層106及び金属又は金属化合物からなる第2ゲート電極108を形成した後、キャッピング層112をマスクとして異方性乾式食刻を行い、第2ゲート電極108の両側面に絶縁物質からなる遮断層110を形成する。

請求項（抜粋）：

半導体基板と、該半導体基板の上面に形成されたゲート絶縁層と、該ゲート絶縁層の上面に形成されて金属又は金属化合物からなるゲート電極を備えたゲートと、該ゲート電極の側面に形成された遮断層と、を備えて構成したことを特徴とするMOSトランジスタ。

IPC (2件)：

H01L 29/78 ,  H01L 21/28 301

FI (2件)：

H01L 21/28 301 A ,  H01L 29/78 301 G

Fターム (33件)：

4M104BB01 ,  4M104CC05 ,  4M104DD42 ,  4M104DD43 ,  4M104DD65 ,  4M104DD66 ,  4M104EE09 ,  4M104EE17 ,  4M104FF06 ,  4M104FF18 ,  4M104GG09 ,  4M104GG10 ,  4M104GG14 ,  4M104HH05 ,  4M104HH20 ,  5F040DA17 ,  5F040DA19 ,  5F040DC08 ,  5F040DC09 ,  5F040EC02 ,  5F040EC04 ,  5F040EC06 ,  5F040EC13 ,  5F040EF02 ,  5F040EF13 ,  5F040FA07 ,  5F040FA10 ,  5F040FA11 ,  5F040FA16 ,  5F040FA18 ,  5F040FB04 ,  5F040FC21 ,  5F040FC23