特許
J-GLOBAL ID：200903048166283173
薄膜形成方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
小川 勝男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-213741
公開番号（公開出願番号）：特開平7-066189
出願日： 1993年08月30日
公開日（公表日）： 1995年03月10日
要約：
【要約】【構成】下層液16及び単分子膜を形成する構成分子を含む材料液17を半導体基板上に滴下した後に、半導体基板11を固定したホルダ13を回転させる。これにより構成分子には回転中心から外側を向いた遠心力が加わり、これによって定常状態では、配向性単分子膜が形成される。定常状態後に加熱処理で下層液16を飛散させることによって、半導体基板上に配向性単分子膜が形成される。【効果】回転による遠心力を用いて配向性単分子膜を形成することから、短時間でLB膜を形成することに効果がある。
請求項（抜粋）：
液面上に単分子膜を展開し、前記単分子膜に配向性を導入した後、基板上に配向性単分子膜を形成する薄膜形成方法において、前記液面及び前記単分子膜を回転させる手段を備えることを特徴とする薄膜形成方法。
IPC (4件)：
H01L 21/312
, G03C 1/74 351
, G03F 7/26 501
, B05C 11/08
