特許
J-GLOBAL ID：200903048173846302
半導体装置の製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
井桁 貞一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-111727
公開番号（公開出願番号）：特開平8-307016
出願日： 1995年05月10日
公開日（公表日）： 1996年11月22日
要約：
【要約】【目的】 本発明は、光通信用半導体発光素子の製造方法、特に1回のプロセスで複数の高品質素子を同時に、且つ制御性良く作る。【構成】 マスクが表面に選択的に形成された半導体基板上に、ハロゲン元素を含むガスを導入し、気相成長法を用いて露出された該半導体基板上に半導体層を選択的に形成する半導体装置の製造方法において、半導体層はアルミニウム原子を含む III-V族化合物半導体層からなり、気相成長法に有機金属気相成長法を用い、且つハロゲン元素に塩素を用いる。
請求項（抜粋）：
マスクが表面に選択的に形成された半導体基板上に、ハロゲン元素を含むガスを導入し、気相成長法を用いて露出された該半導体基板上に半導体層を選択的に形成する半導体装置の製造方法において、前記半導体層はアルミニウム原子を含む III-V族化合物半導体層からなり、前記気相成長法に有機金属気相成長法を用い、且つハロゲン元素に塩素を用いることを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (2件)：
FI (2件)：
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