特許
J-GLOBAL ID：200903048176269748
アルミニウム表面窒化方法
発明者：
,
,
,
,
,
,
,
,
出願人/特許権者：
,
,
代理人 (1件)：
関 正治
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-356168
公開番号（公開出願番号）：特開2004-190055
出願日： 2002年12月09日
公開日（公表日）： 2004年07月08日
要約：
【課題】アルミニウム基材表面の酸化膜を除去し、高濃度の窒素プラズマを使って厚い窒化アルミニウム層を形成するアルミニウム窒化処理方法を提供する。【解決手段】低電圧大電流の電子ビームで反応室3にプラズマを生成する電子ビーム励起プラズマ(EBEP)装置を用いて、アルミニウム含有金属材料5を反応室内の試料台34にセットして真空にし、水素ガスを導入して加速電子ビームで水素プラズマを発生させて金属材料の表面をクリーニングし、次いで窒素ガスを含む反応ガスに置換して加速電子ビームで反応プラズマを発生させ、金属材料にバイアス電圧を印加してスパッタリングしながら窒化反応を起こすことによって、金属材料表面にアルミニウム窒化膜を形成する。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
放電室で不活性ガスのプラズマを発生させて該プラズマから電子ビームを引き出し、加速室で該電子ビームの電子を加速して反応室に入射させて、該反応室に充填したガスをプラズマ化して試料と反応させる電子ビーム励起プラズマ装置において、前記反応室内に設けてバイアス電源と接続した電極にアルミニウムを含む金属材料をセットし、該反応室に水素ガスを導入して水素プラズマを発生させて該金属材料の表面をクリーニングし、次いで窒素ガスを含む反応ガスに置換して反応プラズマを発生させ、該金属材料にバイアス電圧を印加してスパッタリングおよび窒化反応を起こすことによって、該金属材料表面にアルミニウム窒化膜を形成することを特徴とするアルミニウム表面窒化方法。
IPC (5件)：
C23C8/36
, C23C8/02
, C23C14/00
, C23C14/06
, C23C14/34
C23C8/36
, C23C8/02
, C23C14/00 Z
, C23C14/06 A
, C23C14/34 S
4K029BA03
, 4K029BA58
, 4K029CA05
, 4K029FA04
, 4K029FA05
