特許

J-GLOBAL ID：200903048180224694

ダイヤモンドn型半導体膜の製造方法およびその装置

発明者： 西森 年彦
出願人/特許権者： 三菱重工業株式会社
代理人 (1件)： 光石 俊郎 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-310269
公開番号（公開出願番号）：特開平10-149986
出願日： 1996年11月21日
公開日（公表日）： 1998年06月02日
要約：

【要約】【課題】 所定の導電性を有するダイヤモンドn型半導体膜を再現性よく製造することができる方法およびその装置を提供する。【解決手段】 真空容器1と、真空容器1内を減圧して真空にする真空排気装置2と、ダイヤモンド単結晶基板10を加熱保持するホルダ3と、上記ホルダ3へ向けて炭化水素ガス11を送給する炭化水素ガス導入管4と、上記ホルダ3へ向けて水素ガス12を送給する水素ガス導入管5と、上記ホルダ3へ向けてリンを含有するドープ材13のガスを送給するドープ材導入管6と、水素ガス12を加熱して原子状態となるように励起させる電熱フィラメント7とを備えてなり、真空容器1内を高真空(10-8Torr以下)にして上記各ガス11〜13を低い圧力(10-4Torr程度)で送給することにより、当該ガス11〜13を基板10へ分子流で直接供給できるようにし、当該ガス11〜13の基板10への到達前の互いの衝突による反応を防止するようにした。

請求項（抜粋）：

真空環境下で加熱されているダイヤモンド単結晶基板へ炭化水素ガスを分子流で送給すると共に、当該ダイヤモンド単結晶基板へリンを含有するドープ材のガスを分子流で送給することを特徴とするダイヤモンドn型半導体膜の製造方法。

IPC (3件)：

H01L 21/203 ,  C30B 29/04 ,  H01L 21/205

FI (3件)：

H01L 21/203 M ,  C30B 29/04 R ,  H01L 21/205