半導体装置における絶縁層の形成方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：松田和子
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-253264
公開番号（公開出願番号）：特開平7-106330
出願日： 1993年10月08日
公開日（公表日）： 1995年04月21日
要約：

【要約】【目的】絶縁層の製造工程における制御を容易にし、しかも耐熱性・絶縁耐圧・膜応力等の絶縁層としての性能や信頼性の向上を可能にする半導体装置における絶縁層の形成方法を提供することである。【構成】半導体基板11の主表面側に金属層13を形成する工程と、前記金属層13を覆う第一の絶縁層14を形成する工程と、前記第一の絶縁層14を覆う第二の絶縁層15を形成する工程とを有し、前記第一の絶縁層14が前記第二の絶縁層15より膜応力が低くしかも絶縁耐圧が高くなるようにする。

請求項（抜粋）：

半導体基板の主表面側に金属層を形成する工程と、上記金属層を覆う第一の絶縁層を形成する工程と、上記第一の絶縁層を覆う第二の絶縁層を形成する工程とを有し、上記第一の絶縁層は上記第二の絶縁層より膜応力が低くしかも絶縁耐圧が高くなるようにすることを特徴とする半導体装置における絶縁層の形成方法。

IPC (3件)：

H01L 21/3205 , H01L 21/316 , H01L 21/768

FI (2件)：

H01L 21/88 K , H01L 21/90 P

引用特許：

審査官引用 (4件)

特開平3-280539
特開平4-177751
特開平2-284447

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