特許

J-GLOBAL ID：200903048183954227

軟磁性薄膜の製造方法

発明者： 中西 寛次 ,  清水 治
出願人/特許権者： 富士写真フイルム株式会社
代理人 (1件)： 加藤 朝道
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-322391
公開番号（公開出願番号）：特開平5-135989
出願日： 1991年11月12日
公開日（公表日）： 1993年06月01日
要約：

【要約】【構成】(a)Fe<SB>a</SB>Zr<SB>b</SB>N<SB>c</SB>(a、b、cは原子%を示す。)非晶質薄膜をおよそ150°Cの基板上に形成する工程(b)その後前記非晶質薄膜を550°Cで1時間、1.1kOeの磁界中で熱処理する工程、を含み、生成軟磁性薄膜の組成範囲を前記組成式において、0<b≦200<c≦22の範囲(但し、b≦7.5かつc≦5を除く)に制御することを特徴とする軟磁性薄膜の製造方法。【効果】この軟磁性薄膜の製造方法によれば、良好な軟磁性薄膜を高歩留で形成することができる。また、磁気ヘッドの製造工程の簡略化を図ることができる。

請求項（抜粋）：

(a)Fe<SB>a-m</SB>M<SB>m</SB>B<SB>b</SB>N<SB>c</SB>(但し、a、b、c、mは各々原子%を示し、mは0の場合もあり、MはCo、Ru、Cr、V、Ni、Mn、Pd、Ir、Ptの少なくとも1種以上を表わし、BはZr、Hf、Ti、Nb、Ta、Mo、Wの少なくとも1種以上を表わす。)なる組成式で示される非晶質薄膜を加熱基板上に形成する工程(b)その後前記非晶質薄膜を微結晶化するための熱処理工程、を含み、生成軟磁性薄膜の組成範囲を前記組成式において、0≦m/a<0.30<b≦200<c≦22の範囲(但し、b≦7.5かつc≦5を除く)に制御することを特徴とする軟磁性薄膜の製造方法。

IPC (3件)：

H01F 41/14 ,  C21D 6/00 ,  C22C 38/00 303

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 特開平4-083313
  
• 特開昭62-086157
  
• 特開昭60-076027
  
• 特開平4-252006