特許

J-GLOBAL ID：200903048189312910

強誘電体を用いた半導体集積回路とその製造方法

発明者： 長谷 卓
出願人/特許権者： 日本電気株式会社
代理人 (1件)： 菅野 中
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-150946
公開番号（公開出願番号）：特開平9-331031
出願日： 1996年06月12日
公開日（公表日）： 1997年12月22日
要約：

【要約】【課題】 従来の技術よりも簡略化された工程で素子の信頼性の向上を図りつつ、酸化物強誘電体を用いた半導体集積回路の作製工程の一つである水素を含む雰囲気下での熱処理工程での、強誘電体の残留分極,絶縁特性,比誘電率の劣化を防止する。【解決手段】 強誘電体を用いた半導体集積回路において、強誘電体の水素との接触を避けるための水素の透過を抑止する性質を持つ層8がアルミニウムの酸化物もしくは窒化物を中心とする組成で形成されている。水素透過抑止層8としての酸化アルミニウム若しくは窒化アルミニウムが優れた水素透過抑止能力をもっており、しかも、これらはプラズマ処理または熱処理することにより容易に形成することができる。

請求項（抜粋）：

水素透過抑止層を有する強誘電体を用いた半導体集積回路であって、水素透過抑止層は、強誘電体の水素との接触を避けるための水素の透過を抑止する性質を有し、アルミニウムの酸化物もしくは窒化物を含む組成で形成された層であることを特徴とする強誘電体を用いた半導体集積回路。

IPC (6件)：

H01L 27/10 451 ,  G11C 11/22 ,  H01L 27/04 ,  H01L 21/822 ,  H01L 27/108 ,  H01L 21/8242

FI (4件)：

H01L 27/10 451 ,  G11C 11/22 ,  H01L 27/04 C ,  H01L 27/10 651