特許

J-GLOBAL ID：200903048191921508

半導体チツプ搭載用電磁装置

発明者： 松崎 一夫
出願人/特許権者： 富士電機株式会社
代理人 (1件)： 山口 巖
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-255603
公開番号（公開出願番号）：特開平5-101937
出願日： 1991年10月03日
公開日（公表日）： 1993年04月23日
要約：

【要約】 (修正有)【目的】半導体装置のチップに搭載されるインダクタや変成器等の電磁装置およびその接続部から漏洩磁束がチップに侵入して半導体素子や集積回路の動作に悪影響を与えるのを防止する。【構成】電磁装置の本体部41を導体膜30を磁性薄膜22で上下から挟み込む薄膜積層構造に構成し、接続部の導体膜30を相互間隔を隔てた複数個の導体膜部分30aに分け、あるいは層間絶縁膜と交互に積層された複数層の部分導体膜に分けることにより各導体膜部分30aないし部分導体膜に流れる電流を減少させてチップに侵入する漏洩磁界の強さを弱め、あるいは接続部の導体膜30の下側に本体部41から磁性薄膜22を延出させて磁気遮蔽とすることにより漏洩磁束のチップへの侵入を防止する。

請求項（抜粋）：

半導体装置のチップ上に絶縁膜を介して搭載される磁性薄膜と導体膜からなる電磁装置であって、導体膜とそれを上下から挟み込む磁性薄膜とにより電磁装置の本体部を構成し、この本体部と接続して絶縁膜上に配設される導体膜を複数個の導体膜部分に分割し、その幅と同程度以上の相互間隔を隔てて配設したことを特徴とする半導体チップ搭載用電磁装置。

IPC (2件)：

H01F 17/00 ,  H01L 27/04

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 特公昭51-024228
  
• 特開昭49-078877