特許

J-GLOBAL ID：200903048195538946

半導体装置

発明者： 丸山 徹 ,  有留 誠一
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (1件)： 則近 憲佑
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-227599
公開番号（公開出願番号）：特開平8-097275
出願日： 1994年09月22日
公開日（公表日）： 1996年04月12日
要約：

【要約】【構成】本発明は、半導体基板表面に形成した絶縁膜に設けた溝を、半導体膜で埋め込んで形成した素子領域と、前記絶縁膜で隣接する素子領域を分離する素子分離領域とを具備した半導体装置である。【効果】本発明によれば、半導体基板状に設けた溝に絶縁物を埋め込んだときに生じる平坦性の問題を完全に解消でき、且つ写真蝕刻時の合わせずれなどによる素子形状の変動を生じさせることなく、動作特性の変動を完全に無くすことができる。

請求項（抜粋）：

半導体基板表面に形成した絶縁膜に設けた溝を、半導体膜で埋め込んで形成した複数の素子領域と、前記絶縁膜で隣接する素子領域を分離する素子分離領域とを具備したことを特徴とする半導体装置。

IPC (4件)：

H01L 21/76 ,  H01L 21/8247 ,  H01L 29/788 ,  H01L 29/792

FI (2件)：

H01L 21/76 N ,  H01L 29/78 371