特許

J-GLOBAL ID：200903048202900168

半導体装置の製造方法

発明者： 宮崎 敏英 ,  田首 篤
出願人/特許権者： 新日本製鐵株式会社
代理人 (1件)： 國分 孝悦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-119649
公開番号（公開出願番号）：特開平9-283435
出願日： 1996年04月17日
公開日（公表日）： 1997年10月31日
要約：

【要約】【課題】 層間絶縁膜とその上に形成されるレジスト層との間の密着性を向上させ、フォトリソグラフィ-工程において発生しがちな上記レジスト層の剥離やウェットエッチング工程において発生しがちなコンタクトウィンドのサイドエッチ等を防止して、品質の安定及び歩留まりの大幅な向上が実現される半導体装置の製造方法を提供する。【解決手段】 層間絶縁膜3が形成された半導体基板1を、23°C程度に温度調整された純水中に10分程度の間侵漬させ、十分にリンスを施した後に乾燥させる。

請求項（抜粋）：

半導体基板上に層間絶縁膜が形成されてなる半導体装置を製造するに際して、上記層間絶縁膜を形成した後、当該層間絶縁膜下に存する配線の導通をとるコンタクトウィンドを当該層間絶縁膜に形成するために用いるレジスト層を塗布形成する前に、上記半導体基板に純水を用いた洗浄処理を施すことを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (5件)：

H01L 21/027 ,  H01L 21/28 ,  H01L 21/304 341 ,  H01L 21/306 ,  H01L 21/768

FI (6件)：

H01L 21/30 572 B ,  H01L 21/28 L ,  H01L 21/304 341 M ,  H01L 21/30 569 A ,  H01L 21/306 D ,  H01L 21/90 R