特許

J-GLOBAL ID：200903048203938037

半導体装置の製造方法とその半導体装置

発明者： 大澤 明彦 ,  馬場 嘉朗 ,  開 俊一
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (1件)： 諸田 英二
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-199989
公開番号（公開出願番号）：特開平5-102161
出願日： 1991年07月15日
公開日（公表日）： 1993年04月23日
要約：

【要約】【目的】スイッチング素子をオンからオフにスイッチする速度trrを高速化するため、デバイスのオン時のキャリア蓄積領域に低ライフタイム層を形成するが、本発明は、より狭い半値幅の低ライフタイム層の局在化を可能とすると共に高温の熱処理を必要としないプロセスにより、従来のプロトン照射、電子線照射等に比べて、オン電圧及びスイッチング速度trrが共に向上する半導体装置の製造方法とそれによる半導体装置を提供することを目的とする。【構成】本発明の半導体装置の製造方法は、半導体基板内の所定領域に、ヘリウムイオン 3He 2+を、加速エネルギー1MeVないし40MeV、照射量1×109 コ/cm2 ないし5×1013コ/cm2 で照射した後、300°Cないし400°Cで熱処理をする工程を含むことを特徴とする。又本発明の半導体装置は上記方法により製造された装置である。

請求項（抜粋）：

半導体基板内の所定領域に、ヘリウムイオン 3He2+を照射する工程を、具備することを特徴とする半導体装置の製造方法。