単結晶の引上装置

発明者： , , , , ,
出願人/特許権者： ,
代理人 (1件)：佐藤隆久 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-012668
公開番号（公開出願番号）：特開平6-219886
出願日： 1993年01月28日
公開日（公表日）： 1994年08月09日
要約：

【要約】【目的】引上単結晶の酸素濃度制御、ウェーハ面内の酸素分布(ORG)の均一化が可能であり、軸方向に対する酸素濃度も均一な単結晶を引き上げることができ、特に大口径の単結晶を高品質、かつ熱履歴を均一に引き上げる引上装置を提供する。【構成】整流体2は、ルツボ3の内径Dより小さい外径dであってキャリアガスGの流下方向に沿ってほぼ鉛直に伸延する円筒部4と、該円筒部4の下端から縮径して引上単結晶Sとの間に下部ギャップ5を形成する縮径部6と、整流体2を部分的に引上チャンバ1に支持することにより整流体2の外部に上部ギャップ18を形成する係止部7とを有する。キャリアガスの流路は、該キャリアガスが整流体2の円筒部4の上端で分岐して円筒部4の内部に至る第1の流路P1 と、キャリアガスGが第1の流路P1 から下部ギャップ5を通過したのちに融液表面と整流体2との間を通過する一方で、キャリアガスが整流体2の円筒部4の上端で分岐して上部ギャップ18を通過する第2の流路P2 とに、整流体2によって区画されている。

請求項（抜粋）：

引上チャンバ(1)の上方から供給されるキャリアガス(G)を融液(M)表面に案内して融液表面から蒸発した酸化けい素を排出する整流体(2)を備えたチョクラルスキー法による単結晶の引上装置であって、前記整流体(2)は、ルツボ(3)の内径(D)より小さい外径(d)であって前記キャリアガス(G)の流下方向に沿ってほぼ鉛直に伸延する円筒部(4)と、該円筒部(4)の下端から縮径して引上単結晶(S)との間に下部ギャップ(5)を形成する縮径部(6)と、前記整流体(2)を部分的に前記引上チャンバ(1)内に支持することにより前記整流体(2)の外部に上部ギャップ(18)を形成する係止部(7)とを有し、前記キャリアガス(G)の流路は、該キャリアガスが前記整流体(2)の円筒部(4)の上端で分岐して前記円筒部(4)の内部に至る第1の流路(P1 )と、前記キャリアガス(G)が前記第1の流路(P1 )から前記下部ギャップ(5)を通過したのちに前記融液表面と前記整流体(2)との間を通過する一方で、前記キャリアガス(G)が前記整流体(2)の円筒部(4)の上端で分岐して前記上部ギャップ(18)を通過する第2の流路(P2 )とに、前記整流体(2)によって区画されていることを特徴とする単結晶の引上装置。

IPC (4件)：

C30B 15/00 , C30B 29/06 502 , C30B 29/06 , H01L 21/208

引用特許：

審査官引用 (3件)

特開平3-218994
特開平1-100087
特開平1-100086

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