特許

J-GLOBAL ID：200903048214466072

反射防止層を備えた半導体装置を製作する方法

発明者： スタンレイ・エム・フィリピーク ,  テッド・アール・ホワイト ,  ティー・ピー・オング ,  ユン-フイ・リン ,  ウェイン・エム・ポールソン ,  バーナード・ジェイ・ロマン
出願人/特許権者： モトローラ・インコーポレイテッド
代理人 (1件)： 池内 義明
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-093676
公開番号（公開出願番号）：特開平8-274023
出願日： 1996年03月22日
公開日（公表日）： 1996年10月18日
要約：

【要約】【課題】 低い反射率を有し従来技術の問題を解決するとともに、多様な材料および方法を使用して形成できる反射防止層を実現する。【解決手段】 反射防止層54,86,109が開発され、該反射防止層は個別の部分541,542,861,862,863,1091,1092を有する。該個別の部分541,542,861,862,863,1091,1092は反射防止層54,86,109が単一層の一様な組成を使用することが困難であるか不可能な多くの場合に使用できるようにする。あるいは、連続的に変化する組成を備えた単一の反射防止層を使用できる。

請求項（抜粋）：

半導体装置を製作する方法であって、半導体基板(50)上に第1の層(82)を形成する段階、そして前記第1の層(82)上に反射防止層(86)を形成する段階であって、前記反射防止層(86)は第1のロケーション(861)および第2のロケーション(863)を含み、前記第1のロケーション(863)は第1の元素および窒素を含み、前記第2のロケーション(863)は第2の元素および窒素を含み、そして前記第1および第2のロケーション(861および863)は異なる組成を有するもの、を具備することを特徴とする半導体装置を製作する方法。

IPC (2件)：

H01L 21/027 ,  G03F 7/11 503

FI (2件)：

H01L 21/30 574 ,  G03F 7/11 503