特許
J-GLOBAL ID:200903048217114894

モノリシックレーザーダイオードアレー

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 小泉 伸 (外3名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平4-082738
公開番号(公開出願番号):特開平6-120607
出願日: 1992年03月04日
公開日(公表日): 1994年04月28日
要約:
【要約】【目的】 絶縁層に溝を形成し溝に金属化層を形成する、という煩雑な工程を行わずに、生産性の高いレーザーダイオードアレの構造を提供すること。【構成】 上層を導電層110とし、下層を絶縁層100とする。導電層と絶縁層を重ね合わせて一体化し、導電層110に複数の溝120を形成し、溝120にレーザーダイオード200が組み入れられる。単一の半導体基板を用意し、その上部にドーピングを施して導電層320、510を形成していもよい。ドーピングを受けない部分は絶縁層310、500とされる。【効果】 溝内金属化層形成のための別個の工程を必要としないので、レーザーダイオードアレーの製造が簡略化され、生産性が向上する。
請求項(抜粋):
実質的に非導電性な下部基板となる非導電層と、該非導電層上に形成され複数の溝が形成された導電層と、該複数の溝に組み込まれた複数のレーザーダイオードとを有し、該レーザーダイオードの発光面が該導電層の主要面に対して平行に形成され、該レーザーダイオードが該溝内に実質的に鉛直に設けられていることを特徴とするレーザーダイオードアレー。
引用特許:
審査官引用 (3件)

前のページに戻る