特許
J-GLOBAL ID:200903048217449667
半導体装置及びその製造方法
発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件):
鈴木 章夫
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平5-202083
公開番号(公開出願番号):特開平7-050400
出願日: 1993年07月23日
公開日(公表日): 1995年02月21日
要約:
【要約】【目的】 SOI構造の半導体装置において、半導体基板抵抗を低下させる一方で、その表面における不純物濃度を低下させて素子の特性を改善を図る。【構成】 シリコン基板11に酸素をイオン注入してシリコン酸化膜12を形成し、かつMOSトランジスタ等の素子を形成してSOI構造の半導体装置を構成する。このとき、シリコン酸化膜12中に向けて不純物をイオン注入し、かつこの不純物をシリコン基板11に向けて拡散させ、シリコン酸化膜12との界面近傍部位に高濃度不純物層13を形成する。この高濃度不純物層13によってシリコン基板11の抵抗を低減し、かつシリコン基板11の表面の不純物濃度の増大を防止してMOSトランジスタのしきい値電圧の制御を容易なものとする。
請求項(抜粋):
絶縁層上に半導体層を有し、この半導体層の主面に素子を形成してなるSOI構造の半導体装置において、前記半導体層の絶縁層との界面近傍部位に、前記絶縁膜中に最大濃度を有する高濃度不純物層を有することを特徴とする半導体装置。
IPC (4件):
H01L 27/12
, H01L 21/265
, H01L 21/316
, H01L 21/76
FI (4件):
H01L 21/265 P
, H01L 21/265 A
, H01L 21/265 Y
, H01L 21/76 R
引用特許:
審査官引用 (4件)
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特開昭62-214668
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特開平4-239153
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特開昭54-109761
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