特許
J-GLOBAL ID：200903048222294680
反射防止膜の製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
船橋 國則
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-145815
公開番号（公開出願番号）：特開2000-338304
出願日： 1999年05月26日
公開日（公表日）： 2000年12月08日
要約：
【要約】【課題】 十分な膜強度(膜密着度)を有した反射防止膜を製造し得る、反射防止膜の製造方法の提供が望まれている。【解決手段】 基体A上に低屈折率材料からなる低屈折率層と高屈折率材料からなる高屈折率層とが交互に積層されてなり、高屈折率層のうち最も外側に位置する最外高屈折率層の上に、低屈折率層でありかつ保護層として機能する酸化ケイ素層15が設けられてなる反射防止膜Bの製造方法である。酸化ケイ素層15をスパッタ法で形成するにあたり、この酸化ケイ素層15のうちの少なくとも最外高屈折率層との界面側を形成する際、この酸化ケイ素成膜用のターゲットを備えたスパッタカソードに、単位電流あたり19V〜42Vの電圧を印加する。
請求項（抜粋）：
基体上に低屈折率材料からなる低屈折率層と高屈折率材料からなる高屈折率層とが交互に積層されてなり、高屈折率層のうち最も外側に位置する最外高屈折率層の上に、低屈折率層でありかつ保護層として機能する酸化ケイ素層が設けられてなる反射防止膜の製造方法において、前記酸化ケイ素層をスパッタ法で形成するにあたり、該酸化ケイ素層のうちの少なくとも前記最外高屈折率層との界面側を形成する際、この酸化ケイ素成膜用のターゲットを備えたスパッタカソードに、単位電流あたり19V〜42Vの電圧を印加することを特徴とする反射防止膜の製造方法。
IPC (2件)：
FI (2件)：
Fターム (11件)：
2K009AA08
, 2K009BB11
, 2K009CC03
, 2K009DD04
, 2K009DD09
, 4K029BA46
, 4K029BB02
, 4K029BB07
, 4K029BD00
, 4K029CA05
, 4K029EA09
