特許
J-GLOBAL ID：200903048228889421
半導体装置、半導体装置の製造方法、及び配線形成方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
高月 亨
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-319051
公開番号（公開出願番号）：特開平8-153690
出願日： 1994年11月29日
公開日（公表日）： 1996年06月11日
要約：
【要約】【目的】 無電解メッキ技術を半導体装置の分野に適用する場合の難点であった汚染の問題を克服して、実用化可能な無電解メッキ技術利用の半導体装置及びその製造方法、及び配線形成方法を提供する。【構成】?@Si等の半導体基板1上の絶縁層2に形成した接続孔3に導電物質4を埋め込む接続構造を備え、接続孔は底面と側面全面にバリア層5を有し、埋め込まれた導電物質4は無電解メッキにより形成されたメタル材である。?A絶縁層2に接続孔3を開口し、接続孔の底面と側面全面にバリア層5′を形成し、接続孔に無電解メッキで導電物質を埋め込む。?B下部配線上に必要に応じテーパ孔を形成した後層間絶縁膜を形成し、ここに下部配線に合わせて接続孔を形成し、該同じ層間絶縁膜に該接続孔と少なくとも一部が重なる構成で上部配線形成用の溝を形成し、無電解メッキにより埋め込んで配線を形成する。
請求項（抜粋）：
絶縁層に形成した接続孔に導電物質を埋め込んで電気的接続をとる接続構造を備えた半導体装置であって、該接続孔は、その底面と側面との全面にバリア層を有し、かつ該接続孔に埋め込まれた導電物質は無電解メッキにより形成されたメタル材であることを特徴とする半導体装置。
IPC (3件)：
H01L 21/288
, H01L 21/768
, H01L 29/40
