特許

J-GLOBAL ID：200903048229233457

配線基板およびこれを用いた電子装置

発明者： 米田 親史
出願人/特許権者： 京セラ株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-300759
公開番号（公開出願番号）：特開2003-110241
出願日： 2001年09月28日
公開日（公表日）： 2003年04月11日
要約：

【要約】【課題】 貫通孔を銅導体で良好に充填でき、貫通導体表面の平滑性に優れ、電子部品が確実に強固に接続できる配線基板および電子装置を提供する。【解決手段】 複数の絶縁層1および配線導体2が交互に積層されるとともに上下の配線導体2間を絶縁層1に形成された貫通孔3を電解めっき法による銅導体で充填して成る貫通導体4により電気的に接続して成る配線基板5において、銅導体は、電流密度が0.3〜0.8A/dm2の電解めっきによる2/3〜3/4の厚みを占める第1層4aと、電流密度が1.0〜3.0A/dm2の電解めっきによる残りの厚みを占める第2層4bとから成るとともに、第2層4bの表面の結晶粒径が0.1〜2μmである。

請求項（抜粋）：

複数の絶縁層および配線導体が交互に積層されるとともに上下の前記配線導体間を前記絶縁層に形成された貫通孔を電解めっき法による銅導体で充填して成る貫通導体により電気的に接続して成る配線基板において、前記銅導体は、電流密度が0.3〜0.8A/dm2の電解めっきによる2/3〜3/4の厚みを占める第1層と、電流密度が1.0〜3.0A/dm2の電解めっきによる残りの厚みを占める第2層とから成るとともに、該第2層の表面の結晶粒径が0.1〜2μmであることを特徴とする配線基板。

IPC (3件)：

H05K 3/46 ,  H01L 23/12 ,  H05K 3/42 610

FI (3件)：

H05K 3/46 N ,  H05K 3/42 610 B ,  H01L 23/12 N

Fターム (21件)：

5E317AA24 ,  5E317BB02 ,  5E317BB12 ,  5E317BB13 ,  5E317BB15 ,  5E317CC32 ,  5E317CC33 ,  5E317CC38 ,  5E317GG03 ,  5E317GG09 ,  5E317GG16 ,  5E346AA12 ,  5E346AA15 ,  5E346AA43 ,  5E346BB16 ,  5E346CC04 ,  5E346CC09 ,  5E346CC46 ,  5E346FF07 ,  5E346FF13 ,  5E346GG15