特許
J-GLOBAL ID：200903048233190690
高圧非反応性希釈ガス高含有高プラズマイオン密度プラズマ酸化物エッチングプロセス
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
長谷川 芳樹 (外5名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-288819
公開番号（公開出願番号）：特開平10-144663
出願日： 1997年10月21日
公開日（公表日）： 1998年05月29日
要約：
【要約】【課題】 パッシベーション膜を特にフォトレジスト切子面付近で強化する方法を提供する。【解決手段】 本発明は、プラズマリアクタチャンバで半導体被処理体を処理する方法として具体化されており、炭素及びフッ素を少なくとも含有するポリマ及びエッチャント前駆ガスを、チャンバ内のガス圧を約20mT以下の低圧力範囲に維持するのに十分な第1の流量でチャンバ内に供給するステップと、相対的に非反応性のガスを、20mT以上の高圧力範囲にチャンバ内のガス圧を維持するのに十分な第2の流量であって、前駆ガスの第1流量との組合せでチャンバ内への全ガス流量の約2分の1以上となる第2の流量でチャンバ内に供給するステップと、プラズマ源電力をチャンバ内に供給して1010イオン毎立方センチメートルを超えるイオン密度を有する高イオン密度プラズマを生成するステップと、を備えている。
請求項（抜粋）：
プラズマリアクタチャンバ内で半導体被処理体を処理する方法であって、少なくとも炭素およびフッ素を含むポリマおよびエッチャント前駆ガスを第1の流量で前記チャンバ内に供給するステップであって、前記第1流量は、前記チャンバ内のガス圧を約20mT以下の低圧力範囲に単独で維持するのに十分な流量であるステップと、相対的に非反応性のガスを第2の流量で前記チャンバ内に供給するステップであって、前記第2流量は、前記チャンバ内の前記ガス圧を前記前駆ガスの第1流量との組合せにより20mT以上の高圧力範囲に維持するのに十分な流量であるステップと、プラズマ源電力を前記チャンバ内に印加して、1010イオン毎立方センチメートルを超えるイオン密度を有する高イオン密度プラズマを生成するステップと、を備える方法。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L 21/302 B
, H05H 1/46 L
