特許
J-GLOBAL ID：200903048235577290

フォトダイオードの製造方法およびそれを用いて形成されたフォトダイオード

発明者：
三浦 規之

三浦 規之 について


出願人/特許権者：
OKIセミコンダクタ株式会社

OKIセミコンダクタ株式会社 について


代理人 (1件)： 金倉 喬二
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-311080
公開番号（公開出願番号）：特開2009-135314
出願日： 2007年11月30日
公開日（公表日）： 2009年06月18日
要約：
【課題】フォトダイオードの暗電流を低減する手段を提供する。【解決手段】絶縁層上のシリコン半導体層に形成された、P型及びN型のいずれか一方の型の不純物を低濃度に拡散させた低濃度拡散層と、P型の不純物を高濃度に拡散させたP型高濃度拡散層と、N型の不純物を高濃度に拡散させたN型高濃度拡散層とを有し、低濃度拡散層を挟んでP型高濃度拡散層とN型高濃度拡散層とを対向配置したフォトダイオードの製造方法において、半導体層の各拡散層の形成領域に所定の型の不純物を所定の濃度で注入した後に、シリコン半導体層上に透光性を有する絶縁材料からなる絶縁材料層を形成する工程と、絶縁材料を選択的に除去するエッチングにより、絶縁材料層の低濃度拡散層の形成領域に開口部を形成する工程と、開口部を有する絶縁材料層をマスクとして、シリコンを選択的に除去するエッチングにより、低濃度拡散層を所定の厚さに薄膜化する工程とを備える。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
絶縁層上のシリコン半導体層に形成された、P型およびN型のいずれか一方の型の不純物を低濃度に拡散させた低濃度拡散層と、P型の不純物を高濃度に拡散させたP型高濃度拡散層と、N型の不純物を高濃度に拡散させたN型高濃度拡散層とを有し、 前記低濃度拡散層を挟んで、前記P型高濃度拡散層と前記N型高濃度拡散層とを対向配置した感光素子を備えたフォトダイオードの製造方法であって、 前記シリコン半導体層の前記各拡散層の形成領域に、所定の型の不純物を所定の濃度で注入した後に、 前記シリコン半導体層上に、透光性を有する絶縁材料からなる絶縁材料層を形成する工程と、 前記絶縁材料を選択的に除去するエッチングにより、前記絶縁材料層の、前記低濃度拡散層の形成領域に、開口部を形成する工程と、 前記開口部を有する前記絶縁材料層をマスクとして、シリコンを選択的に除去するエッチングにより、前記低濃度拡散層の形成領域のシリコン半導体層をエッチングして、前記低濃度拡散層の形成領域のシリコン半導体層を、所定の厚さに薄膜化する工程と、を備えることを特徴とするフォトダイオードの製造方法。
IPC (1件)：
H01L 31/10
FI (1件)：
H01L31/10 A
Fターム (11件)：
5F049MA04 ,  5F049MA20 ,  5F049MB02 ,  5F049NA05 ,  5F049PA09 ,  5F049PA14 ,  5F049RA04 ,  5F049RA06 ,  5F049SS03 ,  5F049SS07 ,  5F049WA05
引用特許：
出願人引用 (1件)
  • 半導体紫外線センサ
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-309363   出願人：浜松ホトニクス株式会社
審査官引用 (2件)
  • 特開昭59-074685
  • 特開平3-202732

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