特許
J-GLOBAL ID：200903048238454857
蒸着膜形成方法及び真空蒸着装置
発明者：
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出願人/特許権者：
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代理人 (1件)：
三枝 英二 (外10名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-152417
公開番号（公開出願番号）：特開平11-001761
出願日： 1997年06月10日
公開日（公表日）： 1999年01月06日
要約：
【要約】【課題】同一基板上に複数の異なる蒸着膜を形成するための簡便な方法であって、特に、複数の微小な感応膜を形成したガスセンサを高精度に形成するために適した方法、及びこの方法の実施に適する真空蒸着装置を提供する。【解決手段】蒸着膜を形成すべき部分以外にレジスト膜を形成した基板を用い、該基板の蒸着膜形成部上に、開口部を有する蒸着物質遮断用マスクの開口部を位置合わせした後、該マスクを介して該基板上に蒸着膜を形成し、次いで、該マスクを移動させて他の蒸着膜形成部にマスク開口部の位置合わせを行い、蒸着材料を変更して該マスクを介して該基板上に他の蒸着膜を形成する工程を所定回数行い、その後レジスト膜を除去することを特徴とする蒸着膜形成方法、並びに基板と蒸着物質遮断用マスクを相対的にXY方向に移動可能なマスク位置設定機構と、マスク像を装置外部に導出するためのミラー等を用いた手段と、マスク像を観察するための顕微鏡等のモニター手段を有する真空蒸着装置。
請求項（抜粋）：
蒸着膜を形成すべき部分以外にレジスト膜を形成した基板を用い、該基板の蒸着膜形成部上に、開口部を有する蒸着物質遮断用マスクの開口部を位置合わせした後、該マスクを介して該基板上に蒸着膜を形成し、次いで、該マスクを移動させて他の蒸着膜形成部にマスク開口部の位置合わせを行い、蒸着材料を変更して該マスクを介して該基板上に他の蒸着膜を形成する工程を所定回数行い、その後レジスト膜を除去することを特徴とする蒸着膜形成方法。
IPC (2件)：
FI (2件)：
C23C 14/04 B
, C23C 14/24 G
