特許

J-GLOBAL ID：200903048243134518

半導体装置の製造方法

発明者： 松倉 祐輔
出願人/特許権者： 富士通株式会社
代理人 (1件)： 北野 好人
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-264411
公開番号（公開出願番号）：特開平11-102895
出願日： 1997年09月29日
公開日（公表日）： 1999年04月13日
要約：

【要約】【課題】 化合物半導体層をドライエッチングする半導体装置の製造方法に関し、低いガス圧であっても高い選択性で化合物半導体層をエッチングすることができる半導体装置の製造方法を提供する。【解決手段】 塩素を含むガスとフッ素を含むガスとを含むエッチングガスを用いて化合物半導体層16をエッチングする半導体装置の製造方法であって、プラズマ中の電子温度の上昇を抑えるように制御して化合物半導体層16をエッチングする。

請求項（抜粋）：

塩素を含むガスとフッ素を含むガスとを含むエッチングガスを用いて化合物半導体層をエッチングする半導体装置の製造方法であって、プラズマ中の電子温度の上昇を抑えるように制御して前記化合物半導体層をエッチングすることを特徴とする半導体装置の製造方法。