特許

J-GLOBAL ID：200903048252766713

配向性強誘電体薄膜

発明者： 梨本 恵一
出願人/特許権者： 富士ゼロックス株式会社
代理人 (1件)： 渡部 剛
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-297621
公開番号（公開出願番号）：特開平7-133199
出願日： 1993年11月04日
公開日（公表日）： 1995年05月23日
要約：

【要約】【目的】 不揮発性メモリーやキャパシター等の電子素子、光変調素子などの作製に適した配向性強誘電体薄膜を提供する。【構成】 本発明の配向性強誘電体薄膜は、単結晶基板1a上にエピタキシャルまたは配向性のペロブスカイトABO3 型導電性薄膜2が形成され、更にその上にエピタキシャルまたは配向性のABO3 型強誘電体薄膜3が形成されている。単結晶基板としては、酸化物単結晶または半導体単結晶が用いられ、その表面にエピタキシャルまたは配向性のバッファ層を有するものが好ましい。また、導電性薄膜としては、BaPbO3 が好ましく用いられる。

請求項（抜粋）：

単結晶基板上にエピタキシャルまたは配向性のペロブスカイトABO3 型導電性薄膜が形成され、更にその上にエピタキシャルまたは配向性のABO3 型強誘電体薄膜が形成されていることを特徴とする配向性強誘電体薄膜。

IPC (7件)：

C30B 29/22 ,  C30B 19/00 ,  C30B 23/08 ,  H01B 3/00 ,  H01L 21/314 ,  H01L 27/04 ,  H01L 21/822

引用特許：

審査官引用 (1件)

• キャパシタ
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-036026   出願人：シャープ株式会社