特許
J-GLOBAL ID：200903048255668062
半導体レーザ装置および半導体レーザモジユール
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
内原 晋
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-254041
公開番号（公開出願番号）：特開平5-095169
出願日： 1991年10月02日
公開日（公表日）： 1993年04月16日
要約：
【要約】【目的】同軸型の半導体レーザモジュールにおいて反射戻り光対策として光ファイバ端面斜め研磨を施し、かつ、これにより過剰結合損失の発生を防ぐ。【構成】ヒートシンク12により半導体レーザチップ1の出射点をステム3の中心軸よりずらして位置させる。同軸型レンズホルダ6にレンズ5とステム3を固定することによりレーザ光ビームは中心軸に対し傾きを持ち、光ファイバ端面27の斜め研磨面をビーム入射方向と反射側に向けることで、過剰損失のない、且つ、反射戻り光量をさらに抑えた半導体レーザモジュールが提供される。
請求項（抜粋）：
同軸型の容器内に半導体レーザチップを搭載した半導体レーザ装置において、該容器の中心軸から半導体レーザチップの出射位置をずらしたことを特徴とする半導体レーザ装置。
IPC (2件)：
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