シリコン・ダイ・モジュールを製造するためのテフロン添加レジノイド・ダイシング・ブレード

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：中村稔 (外6名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-281194
公開番号（公開出願番号）：特開平8-224730
出願日： 1995年10月30日
公開日（公表日）： 1996年09月03日
要約：

【要約】【課題】テフロン(登録商標)を用いてボイドを充填し、若しくは、レジノイド・ダイシング・ブレードを含侵すること、及び、テフロン(登録商標)含侵ダイシング・ブレードを用いて、接着された一対のシリコン・ウェハから複数のシリコン・ダイ・モジュールを分離すること。【解決手段】テフロンを用いて約0.3〜0.5重量%までレジノイド・ブレードを含侵する処理により、ほぼ20容量%の多孔率構造を有したレジノイド・ダイシング・ブレードをテフロンを用いてコーティングし且つ含侵する。テフロン含侵ダイシング・ブレードは、接着されたシリコン・ウェハが複数の個々のプリントヘッド・ダイに分離される際に、ノズル・チッピングを減少させるだけでなく、ブレードの寿命をかなり増加させる。

請求項（抜粋）：

テフロン添加レジノイド・ダイシング・ブレードを製造する方法において、(a)フルオリナートの溶剤のテフロン(登録商標)溶液と2重量%のテフロンAF(登録商標)を有した溶性テフロンAF(登録商標)を容器に準備する段階と、(b)露出孔と約20容量%の多孔率を有した複数のレジノイド・ダイシング・ブレードを容器のテフロン(登録商標)溶液に浸漬する段階と、(c)テフロン(登録商標)溶液とそこに浸漬されたレジノイド・ブレードを有した容器を真空チャンバに配置する段階と、(d)真空チャンバを真空とし、レジノイド・ブレードの露出孔から実質的に全ての空気が除去されるまで真空チャンバの真空を維持する段階と、(e)レジノイド・ブレードの全ての露出孔がテフロン(登録商標)溶液で充填されることを確実にするため、真空チャンバを大気圧に戻す段階と、(f)真空チャンバから容器を取り除き、テフロン(登録商標)溶液からレジノイド・ブレードを取り除く段階と、(g)余計なテフロン(登録商標)をレジノイド・ブレードから排水する段階と、(h)レジノイド・ブレード孔上のテフロン(登録商標)溶液から溶剤を蒸発させることにより、レジノイド・ブレード孔を固形のテフロンAF(登録商標)で充填する段階と、を備えることを特徴とする方法。

IPC (5件)：

B28D 5/02 , B24D 3/00 310 , B24D 3/28 , B41J 2/16 , H01L 21/301

FI (5件)：

B28D 5/02 A , B24D 3/00 310 D , B24D 3/28 , B41J 3/04 103 H , H01L 21/78 F

前のページに戻る