特許
J-GLOBAL ID：200903048265000752
固体撮像装置およびその製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
佐藤 一雄 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-298687
公開番号（公開出願番号）：特開平9-139488
出願日： 1995年11月16日
公開日（公表日）： 1997年05月27日
要約：
【要約】 (修正有)【課題】 電極の電圧値が小さくとも画素部の特性悪化を防止しうる固体撮像装置およびその製造方法。【解決手段】 半導体基板表に不純物層6とこれより浅い逆導電型不純物層8より成る光電変換部と、これに平行な電極3aを有する電荷転送部に側壁4が形成され、層6は側壁4と電極3aの境界直下まで形成され、又層8は側壁4の内端直下まで形成される。製造方法は基板上に絶縁膜2aを形成してこれに電極層を堆積し、これをパターニングして電極を形成し、光電変換部形成領域に不純物を注入して層6を形成し、又これと逆導電型の不純物を注入して層8を形成する。
請求項（抜粋）：
半導体基板表面に第1不純物層、及びこれよりも浅く形成され前記第1不純物層とは逆導電型の第2不純物層よりなる光電変換部と、この光電変換部に対応し、かつ平行に配置され、信号電荷を読み出す面及び信号電荷を転送する端面に側壁が形成されている単層構造の電極を有する電荷転送部とを備え、前記第1不純物層は、信号電荷を読み出す面では前記側壁と単層電極との境界直下まで形成され、信号電荷を読み出す面でも信号電荷を転送する端面でもない面では前記単層電極の内端直下よりやや内部まで間隙を設けて形成され、前記第2不純物層は、信号電荷を読み出す面では前記側壁の内端直下まで形成され、信号電荷を読み出す面でも信号電荷を転送する端面でもない面では前記単層電極の内端直下まで形成されていることを特徴とする固体撮像装置。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L 27/14 B
, H04N 5/335 F
