特許

J-GLOBAL ID：200903048265703257

温度依存クロック回路

発明者： ジェフリー イー. ケーリング ,  ワー キット ロー
出願人/特許権者： テキサス インスツルメンツ インコーポレイテツド
代理人 (1件)： 浅村 皓 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-209722
公開番号（公開出願番号）：特開2000-048561
出願日： 1999年07月23日
公開日（公表日）： 2000年02月18日
要約：

【要約】【課題】 DRAMのリフレッシュ回路の電力消費量を少なくすること。【解決手段】 温度依存クロック回路(100)が開示されている。このクロック回路(100)は正の温度係数を有する基準信号の第1グループ(108)および負の温度係数を有する基準信号の第2グループ(110)を発生する基準回路(102)を含む。サンプリング回路(104)が信号の第1グループ(108)と、信号の第2グループ(110)とを比較し、クロック回路(100)の作動温度を示すバイアス信号のグループ(112)を発生する。バイアス信号(112)の値によって周波数が決まる出力クロック信号(CLK)を、周波数を制御できる発振回路(106)が発生するようになっている。

請求項（抜粋）：

ダイナミックランダムアクセスメモリ(DRAM)において、各々が正の温度係数を有する複数の第1基準信号および各々が負の温度係数を有する複数の第2基準信号を発生する基準回路と、前記第1基準信号および前記第2基準信号を受け、多数のバイアス信号を発生するサンプリング回路とを備え、該サンプリング回路が、複数の比較回路を含み、該比較回路の各々が前記第1基準信号の1つと前記第2基準信号の1つとを比較し、バイアス信号の1つを発生するようになっており、前記各比較回路の前記バイアス信号が、それぞれの第2基準信号よりもそれぞれの第1基準信号のほうが大きいときに第1論理値であり、それぞれの第2基準信号よりもそれぞれの第1基準信号のほうが小さいときに第2論理値となっており、本発振回路が前記バイアス信号を受け、このバイアス信号から総バイアス値を発生するバイアス回路と、前記総バイアス値を受け、該総バイアス値に応じた周波数を有する発振出力信号を発生する周波数制御可能な発振器とを更に備えた、温度に依存した発振回路。